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IRFH7932TRPBF  与  BSC030N03LS G  区别

型号 IRFH7932TRPBF BSC030N03LS G
唯样编号 A-IRFH7932TRPBF A-BSC030N03LS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 104A, 0.0033 ohms, PQFN 5x6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5mm 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ 2.5mΩ
上升时间 48ns 5.2ns
Qg-栅极电荷 34nC 55nC
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 59S 49S
封装/外壳 PQFN(5x6) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 104A 100A
配置 Single Single
长度 6mm 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 20ns 4.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4270pF @ 15V -
高度 1mm 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.4W 69W
典型关闭延迟时间 23ns 29ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4270pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 20ns 7.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH7932TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PQFN(5x6) 30V 104A 3.9mΩ 20V 3.4W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AON7508 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 62.5W 3mΩ@10V

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.65
1,250: ¥1.463
2,500: ¥1.397
5,000: ¥1.32
6,504 对比
STL150N3LLH5 STMicro 功率MOSFET

PowerVDFN-8

暂无价格 0 对比
AON7532E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 28A 28W 3.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSC030N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030N03LSGATMA1_30V 100A 2.5mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比

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